Утверждено
|
Скачать 434.05 Kb.
|
Рис. 23. Выходная характеристика ТТЛ-элементаЗначения U+п и U-п можно определить аналитически и графически. Более точный анализ помехозащищенности следует проводить для наихудшего сочетания параметров ПУ и температуры. В этом случае будет не одна передаточная характеристика ПУ, а 0целое семейство, по которому более корректно определяют U+п и U-п. Важной характеристикой ПУ является его быстродействие, которое определяется максимально допустимой частотой следования входных сигналов, представляющих кодовые символы 0 и 1 каждый из которых приводит к переключению ПУ. Очевидно, что быстродействие зависит от общей длительности переходного процесса, возникающего при воздействии переключающего сигнала и обусловленного инерционностью транзистора и перезарядом паразитных емкостей в процессе переключения. В рассматриваемой схеме ПУ обычно процесс переключения из состояния логического 0 в состояние логической 1 происходит медленнее и определяется процессом заряда нагрузочной емкости Сн через резистор Rн. Если выбрать транзистор VT, у которого граничная частота переключения в несколько раз выше заданной частоты переключения ПУ, то при запирании транзистора его инерционностью можно пренебречь и длительность t0,1 можно рассчитать, исходя из упрощенной схемы (см. рис. 13): t0,1 = 2,3RкСн, где Сн = nСвх + См; где: n - нагрузочная способность ПУ; Свх - входная емкость КМДП-элемента; См - емкость монтажа. Если задана частота переключения ПУ – f, то время переключения и необходимо обеспечить условие f0.1 tпер. (10) Если частота переключения f не задана, то спроектировать ПУ нужно так, чтобы он не ухудшал быстродействия цифрового устройства, в котором он используется, т.е. должно выполняться неравенство: f0.1 tмакс. (11) где: f’0,1 – наибольшее время задержки распространении сигнала дин ТТЛ и КМДП-элементов, t0,1макс = max(t0,1эд р ттл, t0,1 эд р кмдп). Значения резисторов Rк и Rб определяются из условий двухсторонних ограничений, изложенных ниже. Из условия, что напряжение на выходе ПУ не должно быть меньше напряжения U1кмдп, для наихудшего соотношения параметров определяем первое ограничение сверху на величину Rк: (12) где: - минимальное напряжение питания при заданном допуске; - максимальное значение входного тока КМДП-элемента и обратного тока коллектора транзистора VT, которые достигаются при максимальной температуре Тмакс заданного температурного диапазона работы ПУ. Для нахождения и можно использовать известное упрощенное выражение, описывающее зависимость обратного тока р-n-перехода I0 от температуры окружающей среды Т, где: Т* - приращение температуры, при которой обратный ток I0(Т0) удваивается (Т* (8 10) С для германия и Т* (6 - 7) С для кремния); Т – температура, при которой определяют ток I0; I0(Т0) – ток I0 при некоторой исходной температуре Т0, который приводится в справочнике. Второе ограничение сверху на величину Rк определяется требованиями обеспечения заданного быстродействия ПУ (формулы (9) и (10)) (13, а) при выполнении условия, что спроектированный ПУ не ухудшит быстродействие электронной схемы, построенной на ТТЛ и КМДП-элементах (формулы (9) и (11)) (14) где: - максимальное напряжение питания при заданном допуске. Таким образом, получаем двустороннее ограничение на величину Rк – формулы (12) – (14). С точки зрения уменьшения мощности, потребляемой ПУ необходимо выбрать величину Rк наибольшей, удовлетворяющей двустороннее ограничение и в соответствии со стандартным рядом номиналов резистора. Мощность, рассеиваемая на резисторе Rк при насыщении транзистора VT, (15) В соответствии с величиной РRк выбираем мощность резистора Rк. Из условия, что ток базы Iб транзистора VT не должен превышать ток I1вых ттл (формулы (2) и (4, а), получаем первое ограничение снизу на величину Rб: (17) Для определения ограничения сверху на величину Rб потребуем, чтобы при минимальном значении для выбранного транзистора VT обеспечивалась степень насыщения S. Используя формулы (2), (3) и (5) при наихудшем сочетании параметров (Е, и I0вх кмдп) и выбранных значениях Rк и S получим: откуда, предложив, что n имеет: (18) Таким образом, получаем двустороннее ограничение на величину Rб - формулы (16), (17) и (18). Величину Rб выбираем наибольшей, удовлетворяющей двустороннее ограничение и в соответствии со стандартным рядом номиналов резистора. Определим мощность, потребляемую ПУ. Если Uвх = U0ттл, то VT находится в режиме отсечки (см. рис. 12,о) я согласно формуле (1) через резистор Rк протекает ток nI1вх кмдп + Iкб о, который будет максимальным при наибольшей заданной температуре. Поэтому мощность, которую ПУ потребляет от источника питания £ в состоянии логической 7 на выходе, равна: Если Uвх = U1ттл, то VT насыщен, и мощность, потребляемая ПУ в соответствии логического 0 на входе, с учетом (5) равна: (19) |
Похожие:
 |
Утверждено расписание егэ Приказом министерства образования и науки Российской Федерации утверждено единое расписание и продолжительность проведения единого... |
 |
Принято утверждено |
|
Учебная программа Утверждено Приказом Министра образования и науки Республики Казахстан от 09. 07. 2010 г. №367 |
|
Утверждено «Средняя общеобразовательная школа №9 с углубленным изучением иностранных языков г. Дубны Московской области» |
|
Государственный образовательный стандарт Направление утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации №686 от 02. 03. 2000г |
|
Государственный образовательный стандарт Направление подготовки утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации от 02. 03. 2000 №686 |
|
Рабочая программа по литературе (базовый уровень) 5 класс «Рассмотрено» «Согласовано» «Утверждено» Руководитель шмо заместитель директора по увр |
|
В. Д. Шадриков “ 7 ” марта 2000 г Направление утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации от 02. 03. 2000 №686 |
|
Национальная академия образования имени ы. Алтынсарина Утверждено Приказом Министра образования и науки Республики Казахстан от 09. 07. 2010 г. №367 |
|
В. Д. Шадриков “27 “ марта 2000 г Направление подготовки дипломированных специалистов утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации от 02. 03.... |