Утверждено
|
Скачать 434.05 Kb.
|
Рис. 21. Схема преобразования уровнейСхема ПУ работает следующим образом. При Uвх = U0ттл транзистор VT1 находится в отсечке, и на выходе первого каскада U + Е. Транзистор VT2 заперт, a VT3 открыт, на выходе схемы Uвых 0 U0кмдп. При Uвх = U-1ттл транзистор VT1 отпирается до насыщения благодаря базовому току, равному (Uвх – еоб)/Rб, где - еоб напряжение на р-n-переходе Б-Э насыщенного транзистора (для кремниевых транзисторов е„б я< 0,6 В). Остаточное напряжение между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора Uкэ н близко к нулю (для кремниевых транзисторов Uкэ н 0,2 В), и транзистор VT2 открыт, а VТ3 заперт. Следовательно, Uвых + Е U1кмдп. Недостаток схемы – одновременное использование и биполярных, и полевых транзисторов в одной микросхеме, что затрудняет ее изготовление в виде интегральной полупроводниковой схемы, хотя эту схему ПУ можно изготовить в виде гибридной микросборки. В случае, когда ставится задача спроектировать ПУ ТТЛ КМДП для расположенных на одной и той же плате конкретных ТТЛ ИС и КМДП ИС с заданными нагрузочной способностью ПУ - n, частотой переключения П – f и температурным диапазоном работы ПУ, схема преобразователя может содержать только один биполярный транзистор VT, а также резисторы Rк и Rб (рис. 21, б). Напряжение Е выбирается равным напряжению питания КМДП ИС. Если Uвх = U0ттл еоб, то VT находится в режиме отсечки (рис. 22, а), и напряжение на его коллекторе, равное напряжению на входе ПУ, не должно быть меньше уровня логической 1 КМДП-элементов, т.е. U1кмдп: Uвых = Е – (nI1вх кмдп + Iкб о)Rк U1кмдп, (1) где: n – нагрузочная способность ПУ; I1вх кмдп – малый ток, обусловленный в основном охранными диодами, подключенными к затворным входам транзисторов (р-n-переходы, смешенные в обратном направлении); Iкб о – обратный ток коллекторного перехода транзистора VT. Рис. 22. Эквивалентные схемы преобразования уровнейЕсли Uвх = Uттл, целесообразно обеспечить насыщение транзистора VT со степенью насыщения S = 1,5 2, т.е. (2) где: Iкн – ток коллектора насыщенного транзистора VТ. Из рис. 2, б видно, что ток Iб, протекающий в цепи базы транзистора VТ при условии, что Uвх = U1ттл, равен (3) вычисленной по формуле (3) ток Iб не должен превышать выходной ток I1вых ттл, обеспечиваемый ТТЛ-элементом в состоянии логической 1, а также должен быть меньше максимального допустимого тока Iб макс выбранного транзистора VT, т.е.: Iб Iвых ттл; (4, а) Iб Iб макс. (4, б) В коллектор насыщенного транзистора VT (рис. 22, б) втекает ток Iк н, который складывается из тока Iк, протекающего через резистор Rк и n входных токов I0вх кмдп КМДП-элемента, т.е. (5) Ток Iк н, найденный по формуле (5), должен быть меньше максимально допустимого тока Iк макс выбранного транзистора VT, т.е. Iк н Iб макс. (6) Напряжение Uвых на выходе ПУ, равное потенциалу на коллекторе насыщенного транзистора VT Uкэ н, не должно превышать уровня логического 0 КМДП-элемента U0кмдп U0вых = Uкэ н U0кмдп.Статические свойства схемы ПУ наглядно отражаются ее передаточной характеристикой – зависимостью Uвых = f(Uвх). На передаточной характеристике рассматриваемой схемы ПУ можно выделить три участка. Если Uвх еоб, то VT находится в режиме отсечки и Uвых определяется по формуле (1). Если Uвх еоб, то VT открыт, и ток базы определяется по формуле (3). Пока VT работает в активном режиме и (7) мы пренебрегли малым током n I0вх кмдп. Ток Iб достигает значения Iб н при Uвх = еоб + Iб нRб, поэтому, если Uвх (еоб + IбнRб), то VT находится в насыщении и Uвых = Uкен. На графике Uвых = f(Uвх) ПУ проводят уровни U1кмдп и U0кмдп. Абсцисса точки пересечения характеристики Uвых = f(Uвх) с уровнем U1кмдп мин соответствует пороговому напряжению U1пор входного сигнала ПУ. Абсцисса точки пересечения характеристики Uвых = f(Uвх) с уровнем U0кмдп макс равна пороговому значению U0пор входного сигнала ПУ. Для того чтобы уровни выходных сигналов ТТЛ-элемента могли использоваться в качестве уровней входного сигнала ПУ, необходимо соблюдать условия: U0ттл макс U1 пор; U1ттл макс U0пор. (8) Указанные неравенства выполняются с некоторым запасом. Так как U0ттл макс U1пор, то допускается некоторые паразитные (помеховые) измерения входного сигнала, которые не приводят к изменения сигнала, которые не приводят к изменению сигнала на входе ПУ до уровня, меньшего U1кмдп мин. статическую помехоустойчивость ПУ характеризуют параметрами U+п и U-п. Напряжение U+п = U-пор – U0ттл макс (рис. 23) характеризует помехоустойчивость схемы ПУ к помеховым выбросам положительной полярности уровня логического 0 на его входе. Аналогично U-п = U1 ттл макс – U0 пор характеризуется помехоустойчивость схемы ПУ к отрицательным измерениям уровня логической 1 на его входе. |
Похожие:
 |
Утверждено расписание егэ Приказом министерства образования и науки Российской Федерации утверждено единое расписание и продолжительность проведения единого... |
 |
Принято утверждено |
|
Учебная программа Утверждено Приказом Министра образования и науки Республики Казахстан от 09. 07. 2010 г. №367 |
|
Утверждено «Средняя общеобразовательная школа №9 с углубленным изучением иностранных языков г. Дубны Московской области» |
|
Государственный образовательный стандарт Направление утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации №686 от 02. 03. 2000г |
|
Государственный образовательный стандарт Направление подготовки утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации от 02. 03. 2000 №686 |
|
Рабочая программа по литературе (базовый уровень) 5 класс «Рассмотрено» «Согласовано» «Утверждено» Руководитель шмо заместитель директора по увр |
|
В. Д. Шадриков “ 7 ” марта 2000 г Направление утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации от 02. 03. 2000 №686 |
|
Национальная академия образования имени ы. Алтынсарина Утверждено Приказом Министра образования и науки Республики Казахстан от 09. 07. 2010 г. №367 |
|
В. Д. Шадриков “27 “ марта 2000 г Направление подготовки дипломированных специалистов утверждено приказом Министерства образования Российской Федерации от 02. 03.... |