Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983




НазваниеСправочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983
страница35/35
Дата публикации15.05.2014
Размер4.36 Mb.
ТипДокументы
literature-edu.ru > Лекции > Документы
1   ...   27   28   29   30   31   32   33   34   35

Рис. 8.14. Конструкция бескаркасных ячеек:

а — ячейка с микросхемами и дискретными компонентами (штыревой разъем) (1 — печатная плата; 2 — микросхемы; 3 — дискретные компоненты; 4 - — колод­ка для контроля; 5 — вилка разъема); б — ячейка с микросхемами (печатный разъем); в — ячейка модуль первого уровня (6 — розетка разъема СЙП34)
Электрические соединения на печатной плате ячейки и между ячейками в значительной мере определяют помехоустойчивость аппа­ратуры. Помехоустойчивость зависит от величин паразитных связей, имеющих в основном емкостный характер. Наличие паразитных емкостей между проводниками может вызвать наведение сигнала в соседних соединительных линиях между элементами и, как след­ствие этого, ложное срабатывание микросхем или сбой полезного сигнала. Кроме того, с увеличением емкости на выходе микросхемы снижается ее быстродействие, коэффициент усиления и т. п.



Рис. 8.15. Каркасная ячейка для микросхем ИСЗ, ИС4 и микросбо­рок (1 — печатная плата; 2 — микросхема; 3 — литое основание)
Погонная емкость межсоединений составляет при двустороннем печатном монтаже (толщина диэлектрика 1,5 мм и относительная диэлектрическая проницаемость е=3,6) 60 — 120 пФ/м; при много­слойном монтаже (на той же плате) 100 — 250 пФ/м; для проводни­ка при навесном монтаже 30 — 40 пФ/м; для проводника в объем­ном жгуте (плотность 10 — 40 проводов на 1 см2 сечения) 40—70 пФ/м. Значения допустимых емкостей между двумя соседними сигнальными проводниками составляют при длительности импульс­ных сигналов (2 — 5)tзд,р,ср для серии 133 — 10 — 50 пФ, для серии 137 5 — 80 пФ, для серии 217 5 — 20 пФ.

Значения допустимой паразитной емкости между проводниками входа и выхода при условии снижения коэффициента усиления на 10% составляют для серии 140 — 10 пФ, для серии 740 — 25 пФ.


Рис. 8.16. Соединительные кабели:

а — плоский тканый кабель (1 — кабель; 2 — плата: 3 — скоба для крепления кабеля); б — гибкий печатный кабель
На помехоустойчивость также оказывает влияние индуктивность печатных проводников, особенно шин питания и заземления. Погон­ная индуктивность печатного проводника при его толщине 0,05 мм составляет 0,018 — 0,009 мкГн/см в диапазоне ширины проводника от 0,2 до 6 мм. Допустимая индуктивность шин заземления зависит от протекающих з них импульсных токов и составляет, например для серии 133, 0,04 — 0,63 мкГн (при перепаде тока 160 — 80 мА).

По допустимым и погонным значениям паразитных емкостей и нндуктив.ностей рассчитывают допустимую длину соединений.

Для обеспечения помехоустойчивости при расположении микро­схем в ячейках и трассировке соединений между ними придержи­ваются ряда правил. При использовании микросхем различной сте­пени интеграции элементы с высокой степенью интеграции устанав­ливают непосредственно у концевых контактов. При размещения микросхем стремятся обеспечить минимальную длину соединений между ними. При этом по возможности увеличивают расстояние между проводниками и располагают проводники в соседних слоях во взаимно перпендикулярных направлениях. При использовании в ячейках высокочастотных микросхем электрические соединения между ними часто осуществляют в виде скрутки сигнального и зем­ляного проводов. В подобном соединении уменьшается внешнее электромагнитное поле, поскольку токи в проводниках протекают в противоположных направлениях. Благодаря этому удается сни­зить наводки в соседних линиях.

Для уменьшения уровня помех, обусловленных индуктивностью шин питания и заземления, ширину этих шин по возможности уве­личивают до 5 мм и более. Для снижения низкочастотных пульса­ций в шинах питания применяют блокирующие конденсаторы, вклю­чаемые между выводами «питание» и «земля» около разъема пе­чатной платы. Их емкость для серии 133 (155) выбирают из расче­та 0.1 мкФ на микросхему.



Рис. 8.17. Оптическая линия связи (1 — основание; 2 — крышка; 3 — световод; 4 — вы­воды; 5 — светодиод; 6 — фото­диод)
Конденсаторы для подавления высокочастотных пульсаций в це­пях питания распределяют по площади печатной платы равномерно относительно микросхем из расчета один конденсатор емкостью 0,02 мкФ на группу, содержащую не более 10 микросхем. Для ми­кросхем повышенной степени интеграции емкость увеличивают до 0,1 миф и устанавливают конденсаторы около каждой микросхемы. Для повышения помехоустойчивости отдельные проводники, а также микросхемы и навесные радиодетали могут быть экранированы.

В последнее время для передачи сигналов применяют оптиче­ские линии связи, позволяющие обеспечить высокую помехоустой­чивость, исключить излучение соединительных линий, а также обеспе­чить гальваническую развязку соединяемых цепей. Оптическая линия связи содержит светодиод (или лазер), управляемый электрическим сигналом, волоконный световод, пропускающий световой поток с ма­лыми потерями, и фотодиод (фототранзистор), преобразующий све­товой поток в электрический сигнал. В оптических линиях связи наибольшее применение в качестве источников излучения получили светодиоды на основе арсенида галлия, хорошо согласующиеся по спектральным характеристикам с кварцевыми световодами и обеспе­чивающие достаточную мощность излучения. В качестве приемников используют кремневые лавинные фотодиоды и p-i-n структуры.

Длина соединений может быть обеспечена от 0,2 до нескольких сотен метров, число каналов от 1 до 150, диаметр световодного кабеля от 3 до 20 мм (в зависимости от числа каналов). На рис. 8.17 приведен пример построения одноканальной оптической линии связи с использованием волоконного световода.

При объединении микросхем в ячейки и затем в блоки происхо­дит увеличение габаритных размеров и массы конструкции за счет тех ее элементов, которые предназначены для крепления ячеек, уста­новки разъемов, внутриблочного монтажа и т. п. Усредненные объ­емно-массовые характеристики некоторых конструкций РЭА на кор­пусных микросхемах первой и второй степеней интеграции приведе­ны в табл. 8.3.

При использовании микросхем с высокой степенью интеграции плотность размещения элементов значительно повышается.

Плотность размещения микросхем в блоках обычно не превы­шает 1 — 1.5 в см3.

Одной из перспективных конструкции являются герметизирован­ные блоки, в которых применяют бескорпусные микросхемы и ми­кросборки. Использование при этом групповой защиты микросхем позволяет значительно уменьшить объем аппаратуры. Это можно проиллюстрировать следующим примером. Объем корпуса микро­схемы типа 252МС15 составляет 856 мм3, а сама гибридная микро­схема занимает объем 60 мм3. Только за счет отсутствия корпуса можно получить выигрыш в полезном объеме в 14 раз. Если учесть также уменьшение зазоров между микросхемами при отсутствии корпусов, то этот выигрыш возрастает еще больше.

При использовании бескорпусных микросхем и микросборок часть соединений переносят на подложку, где они занимают в де­сятки раз меньший объем, чем на печатной плате.

В целом при использовании бескорпусных микросхем и микро­сборок в общем герметичном блоке удается повысить плотность размещения элементов в 2 — 8 раз. Применение бескорпусных микро­схем и микросборок приводит также к повышению надежности за счет уменьшения числа паяных соединений с печатной платой, вместо которых применяют более надежные способы соединений — напыление и термокомпрессионную сварку на подложках.
Таблица 8.3

Тип микросхемы


Масса на один элемент,

Г/ЭЛ

Плотность размещения элементен, эл/см3

микро­схема

яч ейка

блок

микро­схема

ячейка

блок

Гибридные

0,07

0,3

0,5

50

10 — 15

3 — 5

Полупроводниковые

0,03

о,?

0,4

100

15 — 20

4 — 7


При конструировании аппаратуры на микросхемах соединениям элементов уделяют особое внимание, поскольку они в значительной мере определяют надежность всего устройства. На долю соединений приходится до 60% общего количества отказов РЭА.

Основной способ соединения микросхем с печатными платами и создания межсоединений в ячейках и блоках — пайка. Пайка не требует сложного и дорогостоящего оборудования, экономически выгодна, позволяет легко заменять вышедшие из строя микросхемы и другие детали. Перспективна сварка, которая позволяет получить большую, чем при пайке, надежность соединений, а также умень­шить объем аппаратуры за счет сокращения площади соединений. Используемые в микроэлектронной аппаратуре методы сварки можно разделить на сварку давлением и плавлением. Сварка давлением (термокомпрессионная, ультразвуковая и электроконтактная) обес­печивает соединение при совместном действии давления и нагрева. Нагрев не расплавляет соединяемые металлы, а лишь увеличивает их пластичность. Сварка плавлением (электроконтактная, электрон­ным лучом и лучом лазера) соединяет металлы путем их плавления в зоне сварки и последующей кристаллизации.


Рис. 8.18. Зависи­мость допустимого перегрева воздуха от удельной мощ­ности рассеяния (1 — герметичный блок; 2 — естест­венное охлажде­ние; 3 — принуди­тельное охлажде­ние)
Кроме указанных методов применяют также соединения с по­мощью накрутки проводника на штырь. Монтаж методом накрутки заключается в том, что несколько (обычно от четырех до шести) витков провода с помощью специального инструмента навивают с заданным натяжением на жесткий вывод — штырь квадратного или прямоугольного сечения. Натяжение провода при накрутке вели­ко и в точках контакта достигает 1800 кГ/см2. Это достаточно для разрушения оксидной пленки на соединяемых элементах и такого вдавливания провода в вывод, что в месте контакта образуются га­зонепроницаемые поверхности. Такое соединение очень надежно, особенно при сильных механических воздействиях. Недостатками этого метода является увеличение объема по сравнению с другими мето­дами и трудность ремонта.

Вопросы конструирования аппаратуры на микросхемах обобще­ны в [2, 39, 40, 43 — 47].

Теплоотвод в микроэлектронной аппаратуре. В микроэлектрон­ной аппаратуре, которая характеризуется большой плотностью эле­ментов, особенно при использовании микросхем повышенного уров­ня интеграции, значительное внимание должно быть уделено вопро­сам создания необходимого теплового режима. Он определяется вы­деляемой мощностью и условиями охлаждения.

При определении необходимого способа охлаждения аппаратуры исходят из удельной мощности рассеяния qQ=P6/V6, где Рб — сум­марная мощность, выделяющаяся в блоке; VQ — объем блока.

Другим фактором, который учитывают в данном случае, являет­ся допустимая температура перегрева воздуха в блоке: Тпдоп — Т0, где Гдоп — допустимая температура в блоке; Т0температу­ра окружающей среды.

Способ охлаждения выбирают с использованием графика зави­симости Тп=f(qб), приведенного на рис. 8.18. На графике показаны зоны, соответствующие различным способам охлаждения. Если точ­ка, соответствующая проектируемому блоку, лежит в зоне 1 или левее, то в этом случае можно использовать герметичную конструк­цию и не применять никаких мер по теплоотводу. В области 2 тре­буется естественное охлаждение с помощью теплопроводности и кон­векции. Наконец, в области 3 необходимо принудительное охлажде­ние. Если точка, соответствующая рассматриваемому блоку, нахо­дится в зоне наложения областей, целесообразно выбирать верхнюю как отвечающую более простому способу охлаждения.

Для создания допустимого теплового режима аппаратуры по возможности стремятся к использованию микросхем с минимальной рассеиваемой мощностью в реальном режиме эксплуатации.

Один из эффективных путей облегчения теплового режима — . использование теплоотводящих шин. На рис. 8.19,а, показан вариант такого теплоотвода для плоских корпусов. При этом тепловое со­противление корпуса уменьшается с 250 до 20°С/Вт.


Рис. 8.19. Варианты теплоотвода:

а — с теплоотводящей шиной (1 — микросхема; 2 — шина); б — установка в ра­диатор (1 — микросхема; 2 — радиатор)
Иногда микросхемы устанавливают в радиаторы, как показано на рис. 8.19,6. При создании теплоотводящих путей стремятся к уменьшению теплового сопротивления на всех участках от микросхемы до кожуха блока. Для этого при креплении микросхем при­меняют клеи с высокой теплопроводностью, используют припайку микросхем к ячейкам и т. п. Большое значение имеет тепловое со­противление контактов между теплоотводящими элементами. На его значение влияют материал, чистота обработки поверхности, плот­ность соединения и ряд других факторов. Лучшие теплоотводящие материалы — медь и алюминий, их чаще всего применяют в кон­струкциях микроэлектронной аппаратуры. Очень нежелательно по­падание краски между контактирующими теплоотводящими элемен­тами, так как тепловое сопротивление контакта металл — краска очень велико и может превышать соответствующее значение для со­единения медь — алюминий в 250 раз.

Для уменьшения контактных тепловых сопротивлений применяют покрытия соединяемых металлов кадмием, оловом и теплопроводя-щими пастами. Снижение теплового сопротивления корпуса блока достигается использованием ребристой структуры и покрытием на­ружной поверхности краской с высокой степенью черноты.

Для улучшения теплоотвода с помощью конвекции платы с рас­паянными на них микросхемами устанавливают в вертикальном по­ложении, между корпусами микросхем соседних ячеек делают зазо­ры (не менее 6 мм), а также перфорационные отверстия в кожухе блока. Если перечисленные способы не могут обеспечить заданного теплового режима, применяют принудительное воздушное охлажде­ние. Воздух подается или внутрь блока непосредственно к тепло-отводящим элементам или, при герметичных конструкциях, снару­жи — к стенкам корпуса. Наиболее нагретые части ячеек, как пра­вило, располагают ближе к началу охлаждающего потока. При на­личии теплопроводящих шин целесообразно ориентировать их по направлению движения воздуха. Контакт с конструктивными тепло­проводными элементами блока (рамка, кожух и т. п.) обычно осу­ществляют на входе в блок.

При использовании микросхем малого уровня интеграции чаще всего нет необходимости в учете тепловых режимов. При примене­нии же микросхем повышенной степени интеграции, как правило, следует принимать специальные меры по созданию теплоотвода. В подобных случаях проводят специальный тепловой расчет [45], при котором определяют допустимое число микросхем на платах, число плат, зазор между ячейками, расход охлаждающего воздуха, размеры теплоотводящих шин и т. п.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Интегральные микросхемы относятся к виду элементной базы РЭА, который развивается наиболее быстро. Приведем несколько основных направлений этого развития.

Во-первых, это расширение функционального состава тех серий микросхемы, которые получили наибольшее практическое примене­ние— серий 100, 133 (155) 140 и других. Расширение ведется путем ведения в них более сложных узлов с лучшими парамерами, устройств согласования с индикационными приборами и т. п.

Во-вторых, это увеличение степени интеграции и повышение функциональной сложности микросхем. В последние годы все боль­ше выпускается сложных функционально законченных устройств, не требующих для их использования дополнительных микроэлектроч-ных узлов.

В-третьих, широкое использование в микроэлектронике новых физических явлений—оптоэлектронных, магнитоэлектронных, аку-стоэлектронньх и др. Частично микросхемы, использующие эти явления, уже применяются в виде оптроноз, линий задержки и фильтров на приборах с зарядовой связью и поверхностных акусти­ческих волнах, устройств памяти на цилиндрических магнитных до­менах и т. п. Использование новых физических явлений позволит улучшить масса-габаритные, надежностные и другие показатели раз­рабатываемой аппаратуры. Следует указать, что работа с новыми микросхемами потребует определенной подготовки радиолюбителей, которая нужна для грамотного применения новой элементной базы!

Дальнейшее развитие микроэлектроники безусловно приведет к еще более широкому внедрению микросхем как в профессиональ­ную, так и в радиолюбительскую радиоэлектронную аппаратуру.

ПРИЛОЖЕНИЕ. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ МИКРОСХЕМ
В соответствии с ГОСТ 18682—73, введенном в июне 1974 г., обозначение микросхемы состоит из четырех основных элементов.

Первый элемент — цифра, указывающая тип микросхемы по кон­структивно-технологическому признаку: 1, 5, 7 — полупроводнико­вые; 2, 4, б, 8 — гибридные; 3 — прочие (пленочные, керамические, вакуумные и т. д.).

Второй элемент — две цифры, указывающие номер разработки. Первый и второй элементы составляют номер серии, к которой при­надлежит микросхема.

Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы (см. табл. П1).

Четвертый элемент— порядковый номер разработки микросхе­мы з серии среди микросхем одного вида.

При необходимости в обозначение перед первым элементом мо­гут быть введены дополнительные буквенные индексы: К — для ми­кросхем, используемых в устройствах широкого применения; КМ — для микросхем широкого применения, выпускаемых в керамическом корпусе; ЭК — для микросхем, выпускаемых на экспорт (с шагом вызсдоз корпуса 2,54 мм).


Таблица П1

Вид микросхемы

Обозна чение

Генераторы сигна­лов:



гармонических

ГС

прямоугольных

гг

линейно-изменяющихся

гл

специальной формы

ГФ

шума

гм

прочие

гп

Усилители:



высокой частоты

УВ

промежуточной частоты

УР

низкой частоты

УН

импульсных сигналов

УИ

повторители

УЕ

считывания и воспроиз­ведения

УЛ

индикации

УМ

постоянного тока

УТ

операционные и диффе­ренциальные

УД

прочие

УП

Преобразователи:



частоты

ПС

фазы

ПФ

длительности

пд

напряжения

пн

мощности

пм

уровня (согласователи)

ПУ

код — аналог

ПА

аналог — код

пв

код — код

ПР

прочие

пп

Модуляторы:



амплитудные

МА

частотные

мс

фазовые

МФ

импульсные

ми

прочие

МП

Детекторы:



амплитудные

ДА

частотные

дс

фазовые

ДФ

импульсные

ди

прочие

дп

Вид микросхемы

Обозна­чении

Фильтры:

верхних частот

ФВ

нижних частот

ФН

полосовые

ФЕ

режекторные

ФР

прочие

ФП

Коммутаторы и ключи:



тока

кт

напряжения

кн

прочие

кп

Устройства селекции и сравнения:



амплитудные (уровня сигналов)

СА

временные

СВ

частотные

СС

фазовые

СФ

прочие

СП

Логические элемен­ты:



И

ли

ИЛИ

лл

НЕ

ли

И — ИЛИ

лс

И — НЕ

ЛА

ИЛИ — НЕ

ЛЕ

И — ИЛИ — НЕ

ЛР

И — ИЛИ — НЕ/И -ИЛИ

ЛК

ИЛИ — НЕ/ИЛИ

ЛМ

расширители

ЛД

прочие

ЛП

Триггеры:



Шмитта

ТЛ

динамические

ТД

Т-триггер

TT

RS-триггер

ТР

D-триггер

ТМ

JK-триггер

ТВ

комбинированные (RST, DRS, JKRS и др.)

ТК

прочие

ТП


Продолжение табл. П1

Элементы арифмети­ческих и дискретных устройств:



регистры

ИР

сумматоры

ИМ

полусумматоры

ИЛ

счетчики

ИЕ

шифраторы

ИВ

дешифраторы

ИД

комбинированные

ик

прочие

ИП

Многофункциональ­ные устройства:



аналоговые

ХА

цифровые (логические)

ХЛ

комбинированные

хк

прочие

ХП

Наборы элементов:



диодов

нл

транзисторов

нт

резисторов

HP

конденсаторов

НЕ

комбинированные

нк

прочие

нп

Устройства за­держки:



пассивные

БМ

активные

БР

прочие

ВП

Формирователи: импульсов прямоуголь-

АГ

ной формы импульсов специальной формы

АФ

адресных токов

АА

разрядных токов

АР

прочие

АП

Вторичные источни­ки питания:



выпрямители

ЕВ

преобразователи

ЕМ

стабилизаторы напряже­ния

ЕН

стабилизаторы тока

ЕТ

прочие

ЕП

Элементы запоми­нающих устройств:



матрицы-накопители ОЗУ

РМ

матрицы-накопители ОЗУ со схемами управ­ления

РУ

матрицы-накопители ПЗУ

РВ

матрицы-накопители ПЗУ со схемами управ­ления

РЕ

ППЗУ

РТ

РПЗУ

РР

АЗУ

РА

прочие

РП



СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Ефимов И. Е., Козырь И. Я. Основы микроэлектроники — М-Связь, 1975. — 272 с.

2. Справочник по интегральным микросхемам/ Под ред. Б В Та-рабрина. 2-е изд. перераб. и доп. — М,: Энергия, 1980. — 816 с

3. Банк М. У. Аналоговые интегральные схемы в радиоаппарату­ре. — М.: Радио и связь, 1981. — 136 с.

4. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. Технический каталог. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1975. — 112 с.

5. Батушев В. А. Электронные приборы. 2-е изд. перераб и доп — М.: Высшая школа, 1980. — 383 с.

G Бедрековский М. А., Волга В. В., Кручинкин Н. С. Микропро­цессоры. — М.: Радио и связь, 1981. — 94 с.

7. Бедрековский М. А., Кручинкин Н. С., Подолян В. А. Микро­процессоры. — М.: Радио и связь, 1981. — 72 с.

8. Микропроцессорные БИС и микро-ЭВМ/ Под ред. А. А. Васен-кова. — М.: Сов. радио, 1980. — 280 с.

9. Микро-ЭВМ «Электроника С-5» и их применение/ Под ред. В. М. Пролейко. — М.: Сов. радио, 1980. — 160 с.

10. Микросхемы и их применение. — М.: Энергия, 1978. — 248 с.

11. Огнев И. В., Шамаев Ю. М. Проектирование запоминающих устройств. — М.: Высшая школа, 1979. — 320 с.

12. Прангишвили И. В. Микропроцессоры и микро-ЭВМ. — М.: Энергия, 1979. — 232 с.

13. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. — М.: Сов. радио, 1980. — 424 с.

14. Проектирование мнкроэлектронных цифровых устройств/ Под ред. С. А. Майорова. — М.: Сов. радио, 1977. — 272 с.

15. Кузнецов В. и др. Развитие микро-ЭВМ семейства «Электрони­ка С-5» и систем на их основе. — Электронная промышленность, 1979, № И, 12, с. 9 — 12.

16. Васенков А. А. Развитие микропроцессоров и микро-ЭВМ семей­ства «Электроника НЦ» на основе комплексно-целевых про­грамм. — Электронная промышленность, 1979, № 11,12, с. 13 — 17.

17. Аналоговые и цифровые интегральные схемы/ Под ред. С. В. Якубовского. — М.: Сов. радио, 1979. — 336 с.

18. Сухов К., Чистов В., Пожаренкова Т. Блок цветности на микро­схемах. — Радио, 1974, № 12, с. 15 — 17.

19. Сухов К., Олдин А., Белова В. Тракт звукового сопровождения на микросхемах серии К224. — Радио, 1973, № 11, с. 47, 48.

20. Олдин А., Сухов К., Белова В. Тракт изображения цветного те­левизора на микросхемах серии К224. — Радио, 1974, № l.

21. Зародов М., Сухов К., Чистов В. Блок цветности. — Радио, 1971, № И, с. 31 — 35.

22. Сухов К., Чистов В. Блок формирования цветовых сигналов. — Радио, 1975, № 2, с. 17 — 18.

23. Сухов К., Мартынов Ю. ФСС для телевизора. — Радио, 1971, № 3, с. 24.

24. Баранов В., Филипенко В. Использование микросхем К2ЖА243 и К2УС242. — Радио, 1972, № 9, с. 18 — 20.

25. Бать С., Дубовис В., Зубова Г., Нечаев Л. Интегральные ми­кросхемы серий К122 и К118. — Радио, 1975, № 7, с. 55 — 57.

26. Самойликов К. «Микрон-2с». Переносной телевизор на гибрид­ных микросхемах серии К224. — Радио, 1973, № 7, с. 31 — 35.

27. Белый Ю. А. Электронные микрокалькуляторы и техника вычис­лений. — М.: Знание, 1981. — с. 64. (Новое в жизни, науке, тех­нике. Сер. Математика, кибернетика, № 2.)

28. Згурский В. С., Лисицин Б. Л. Элементы индикации (справоч­ник). — М.: Энергия, 1980. — 304 с.

29. Гитис Э. И. Преобразователи информации для электронных циф­ровых вычислительных устройств. Изд. 3-е. — М.: Энергия, 1975. — 448 с.

30. Балакай В. Т. и др. Интегральные схемы АЦП и ЦАП. — М.: Энергия, 1978. — 256 с.

31. Строганов Е. Узлы для электронных часов. — Радио, 1979, № 9. с. 56 — 57.

32. Самойлов Ю. Управление семивегментным индикатором. — Ра­дио, 1980, № 1C, с. 29,

83 Шило В Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной

аппаратуре. Изд. 2-е. — М.: Сов. радио, 1979. — 368 с. 34. Алексенко А. Г. Основы микросхемотехники, элементы морфоло-гни микроэлектронной аппаратуры. — М.: Сов. радио, 1977.

35. Гутников В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. — М.: Энергия, 1980. — 248 с.

36. Гольденберг Л. М. Импульсные и цифровые устройства. — М.: Связь, 1973. — 495 с.

37. Букреев И. Н., Мансуров Б. М., Горячев В. И. Микроэлектрон-ные схемы цифровых устройств. — М..: Сов. радио, 1975.

38. ГОСТ 2.743 — 72. ЕСКД. Обозначения условные графические в схе­мах. Двоичные логические элементы.

39. ОСТ 4.Г0.010.009. Аппаратура радиоэлектронная. Блоки и ячей-ки на микросборках и микросхемах. Конструирование.

40. Файзулаев Б. Н. и др. Конструктивно-техническая база ЕС ЭВМ. — Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1973, № 5.

41. Лившиц И. И., Несговоров Б. А., Овсищер П. И. Анализ и вы­бор показателей эффективности аппаратуры на микросхемах. — Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, 1973, вып. 1, с. 75 — 79.

42. Федулова А. А., Котов Е. П., Явич Э. Р. Многослойные печат-ные платы. — М.: Сов. радио, 1977. — 247 с.

43. Пестряков В. Б. Конструирование радиоэлектронной аппаратуры (Основные проблемы и современное состояние). — М.: Соз. ра­дио, 1969, вып. 4. — 208 с.

44 Анисимов Б. В., Савельев А. Я. Основы конструирования и про­изводства ЭВМ. — М.: Высшая школа, 1972. — 278 с.

45. Гель П. П., Иванов-Есипович Н. К. Конструирование радиоэлек­тронной аппаратуры — Л.: Энергия, 1972. — 231 с.

46 Конструирование микроэлектронной аппаратуры/ Под общ. ред. Б. Ф. Высоцкого. — М.: Сов. радио, 1975. — 121 с.

47. Цифровые устройства на микросхемах/ Под общ. ред. В. Л. Волчека, Е. Г. Ойхмана. — М.: Энергия, 1975. — 192 с.

48. ОСТ 4.Г0.054.087. Узлы и блоки радиоэлектронной аппаратуры. Подготовка навесных элементов к монтажу. Типовые технологи­ческие процессы.

49. ОСТ 4.Г0.054.088. Узлы и блоки радиоэлектронной аппаратуры. Установка навесных элементов в узлах. Типовые технологиче­ские процессы.

50. ОСТ. 4.ГО.054.089. Узлы и блоки радиоэлектронной аппаратуры. Пайка монтажных соединений. Типовые технологические про­цессы.

51 Полупроводниковые запоминающие устройства и их применение/ Под ред. А. Ю. Гордонова. — М.: Радио и связь, 1981. — 344 с.

52 Мейзда Ф- Интегральные схемы. Технология и применение:/ Пер. с англ./ Под ред. М. В. Гальперина. — М.: Мир, 1981. — 280 с.

53. Балашов Е. П., Пузанков Д. В. Микропроцессоры и микропро-щ спорные системы/ Под ред. В. Б. Смолова. — М.: Радио и связь, 1981. — 328 с.

54. Аваев Н. А., Дулин В. Н., Наумов Ю. Е. Большие интегральные схемы с инжекцконным питанием. — М.: Сов. радио, 1977.

55. Микропроцессорные комплекты интегральных схем: Состав и структура. Справочник/ Под ред. А. А. Васенкоза, В, А, Шахнова. — М.: Радио и связь, 1982. — 192 с.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ко второму изданию........

Глава первая. Общие сведения об интегральных микро­схемах

Глава вторая. Аналоговые микросхемы и типовые функ­циональные узлы

Глава третья. Применение аналоговых микросхем

Глава четвертая. Цифровые микросхемы и типовые функциональные узлы

Глава пятая. Микропроцессоры и микросхемы памяти

Глава шестая. Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи на микросхемах

Глава седьмая. Применение цифровых микросхем в элек­тронной аппаратуре

Глава восьмая. Разработка радиоэлектронных устройств на микросхемах

Список литературы

ББК 32.844

6Ф2.1

УДК 621.3.049.77
Редакционная коллегия:

Белкин Б. Г., Бондаренко В. М., Борисов В. Г., Геништа Е. Н., Гороховский А. В., Ельяшкевич С. А., Жеребцов И. П., Ко­рольков В. Г., Смирнов А. Д., Тарасов Ф. И., Хотунцев К). Л., Чистяков Н. И.
Авторы

В.А. БАТУШЕВ, В.Н.ВЕНИАМИНОВ, В. Г. КОВАЛЕВ, О. Н. ЛЕБЕДЕВ, А. И. МИРОШНИЧЕНКО.
Микросхемы и их применение: Справ. пособие/ М59 |В. А. Батушев|, В. Н. Вениаминов, В. Г. Ковалев, О. Н. Лебедев, А. И. Мирошниченко. — 2-е изд.,пере-раб. и доп. — М.: Радио и связь, 1983. — 272 с., ил.-» (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1070)

1 р. 70 к.
Приведены общие сведения об интегральных микросхемах, их классификация и основные справочные данные, рассмотрены прин­ципы построения на их основе различных радиоэлектронных уст­ройств, показаны возможности применения микросхем в радиолюби­тельской практике. Первое издание вышло в 1978 г. В настоящем издании обновлен материал всех глав, а также введены новые гла­вы с описанием микропроцессорных комплектов больших интеграль­ных схем, микроэлектронных запоминающих устройств и микросхем для аналого-цифрового и цифроаналогового преобразования сигналов.

Для подготовленных радиолюбителей.
24030000010-001 ББК 32.844

М---------------141-83

046(01)-83 6ФО.З
РЕЦЕНЗЕНТ КАНД. ТЕХН. НАУК М. А. БЕДРЕКОВСКИЙ
Редакция литературы по электронной технике
Владимир Александрович Батушев,

Виктор Николаевич Вениами­нов,

Венедикт Григорьевич Ковалев,

Олег Николаевич Лебедев,

Андрей Иванович Мирошниченко
МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ
Редактор В. С. Темкин

Редактор издательства Т. В, Жукова

Художественный редактор Н. С. Шеин

Технический редактор Т. Н. Зыкина

Корректор И. Г. Зыкова

ИБ №861
Сдано в набор 29.06.83 Подписано в печать 23.09.83 Т-18о8)

Формат 84X108 1/32 Бумага типографская № 2 Гарнитура литературная

Печать высокая Усл. печ. л. 14,28 Усл. кр.-отт. 14,28 Уч.-изд. 18,7

Тираж 200 000 экз. (2 завод: 50001 — 100000 экз.) Изд. л» 19475 Зак. N 3197

Цена 1 р. 70 к.

Издательство «Радио и связь». 101000 Москва, Почтамт, а/я 693

Ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени Первая Образцовая типография имени А. А. Жданова Союзполиграфпрома при Государственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли, Москва, М-54, Валовая, 28.
OCR Pirat

1   ...   27   28   29   30   31   32   33   34   35

Похожие:

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconВ. С. Волков радиолюбительский измерительный прибор © Издательство «Радио и связь»
В предлагаемой читателям брошюре описан комбинированный прибор, поз­воляющий совместно с электронным осциллографом и широкополосным...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconНиколай Николаевич Кравцов Радиолюбительские конструкции супергетеродинов...
Постепенно накапливая опыт, они перехо­дят к более сложным и совершенным конструкциям супергетеродинного типа. Высокая чувствительность...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconО природе сознания с когнитивной, феноменологической и трансперсональной...
...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconМ. Е. Литвак общая психопатология
Издательство лечебно-реабилитационного научного центра «Феникс» Издательство «Феникс»

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconС. А. Остроумов [Учебно-методическое пособие]: Экология, биогеоценология...
Учебно-методическое пособие]: Экология, биогеоценология и охрана природы. М.: Издательство Московского университета. 1984. [в со

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconК 90 На приеме у психолога подросток: Пособие для практиче­ских психологов....
К 90 На приеме у психолога — подросток: Пособие для практиче­ских психологов. — Спб.: Изд-во ргпу им. А. И. Герцена; Издательство...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconТранзиткнига
Русские горки: Конец Российского государства / С. Валянский, Д. Калюжный. М.: 000 «Издательство act»: 000 «Издательство Астрель»:...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconПсихология и психотерапия потерь. Пособие по паллиатив­ной медицине...
Психология и психотерапия потерь. Пособие по паллиатив­ной медицине для врачей, психологов и всех интересующихся проблемой. — Спб.:...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconУказатель описаний © Издательство «Энергия»
Ваш друг, опытный радиолюбитель, интересуется электромузы­кальными инструментами. А ваш сын увлекается радиоспортом и ему нужна схема...

Справочное пособие © Издательство «Энергия», 1978 © Издательство «Радио и связь», 1983 iconКнига предназначена для психологов, психотерапевтов, студентов, специализирующихся...
...

Литература


При копировании материала укажите ссылку © 2015
контакты
literature-edu.ru
Поиск на сайте

Главная страница  Литература  Доклады  Рефераты  Курсовая работа  Лекции